第4章 优化MOSFET模型（1 / 2）

很多人之所以到了大学会迷茫，很大一部分原因在于评价标准从一维变成多维。

之前在高中时期从市里到学校再到班级，经常组织考试，能够让你对自己的成绩在全校乃至全市有一个精确的定位。

一维的评价标准加上反复的测试，让人很容易提升自己。

而到了大学阶段，评价体系变成多维的，对学生的要求不再仅仅停留在应试能力上。高中时期老师也从来没有教过学生到了大学可以做什么，需要做什么。

这种时候，大部分人会陷入迷茫。

像曹永罗属于家里人一早就给他安排好了，只需要按照家里给他规划的路线按部就班就行。

周新从信息爆炸的时代回来，对自己要做什么一清二楚。

至于王卫和李力，进入燕大之后发现卷是卷不过这群卷王的，一年只有期中考试和期末考试，压根不知道要学到什么地步才能排名靠前。

纯纯开盲盒。

在大一刚入学的时候，二人也很是认真学习了一段时间，问题是没有效果，成绩在班上也只排在中间。

周新对这些有一定的了解，不过他不在乎。

对他来说，他打算尽快联系上之前的导师，也就是胡正明教授。

经过这一段时间的资料和信息搜集，周新明确了这个时空和他来之前的时空完全相同。

他也在网上搜到了胡正明的资料，如果他的推测正确，那么胡正明的邮箱也还是之前那个。

因为跟着胡正明念了四年的博士，对方大多数论文周新要么看过，要么通过其他论文引用有所了解。

这是相当不容易的一件事，要知道胡正明有超过九百篇论文。

之所以要去找胡正明，除了看重对方在学术界的地位，更重要的还是对方在产业界的人脉。

“尊敬的胡正明教授：

我在通过阅读你关于热电子感应osfet退化模型的改进论文时，有了一些新的想法，可以用于改进你优化后的数学模型.”

周新的打算很简单，还是得找胡正明，去伯克利把博士学位拿到，然后利用技术的领先优势，去硅谷创业。

创业成功后再回华国。

现在这个身份想在华国创业，难度太高。

或者说想搞半导体的难度太高。

稍作准备后，周新便给胡正明的电子邮件地址发了一封关于osfet模型进一步优化的论文过去。

胡正明从1976年开始就在伯克利任教，一直邮箱就没有变过。

从实际osfet晶体管出发，在复杂物理领域推演出数学模型，这是胡正明的得意之作。

这篇发表自1985年的论文，被引用次数接近2000次，是他仅次于ffetch架构的成果。

在这个年代该数学模型被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的

从1985年发表该论文以来，一直有各种研究试图改进该模型。

94年的时候有试图通过薄氮化氧化物来优化该模型的，95年有通过电子的热再发射来优化。